公司致力于第三代半导体的发展，拓展新能源行业，签约国内外品牌代理
Hunteck2014年成立，公司主营功率半导体分立器件的设计和销售，研发中心在硅谷和上海，销售中心分布在华东华南和台湾地区。公司的管理、设计和销售团队均来自欧美龙头企业从业10年以上的资深专业人士 ，拥有世界上最先进的中压SGT，高压Super Junction和Thin wafer Filed Stop IGBT技术。公司的主要产品包括中压40V-250V SGT MOSFET ，高压600V 700V Super Junction MOSFET 和 600V 1200V 1350V IGBT 产品
SemiQSemiQ Inc.是一家总部位于美国的碳化硅（SiC）功率半导体器件和材料的开发商和制造商，包括: SiC功率MPS二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块、SiC功率MOSFET SiC自定义模块、碳化硅裸模、SiC定制N型外延片 SemiQ是一家私营公司，部分由员工所有。SemiQ（以前称为全球电力技术集团）于2012年在其位于南加州的总部开始开发碳化硅技术，并在那里发展Epi和设计设备。最近，SemiQ发布了其第3代SiC肖特基二极管（合并引脚肖特基型）其中包括浪涌电流、防潮
PN JUNCTION派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半导体功率器件设计销售企业（Fabless模式），持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发与产品销售。 派恩杰产品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。
UnitedSIC美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）成立于1999年，主要为高效率转换应用部署SiC晶体管和二极管解决方案，公司现任总裁兼首席执行官Chris Dries和董事会于2009年收购了这家公司，联合碳化硅(UnitedSiC)开发了创新的碳化硅(SiC) FET和二极管功率半导体，在电动汽车(EV)充电器、DC-DC转换器和牵引变流器以及电信、服务器电源、变速电机驱动器和太阳能逆变器等领域广泛应用。 UnitedSiC采用独特的堆叠式共源共栅技术，该技术将SiC JFET与硅MOSFET
Sanrise Tech公司总部坐落于深圳南山高新技术开发区，成立于2014年。2015年在上海浦东张江科技园区设立研发及运营中心，并于2018年成立南通尚阳通集成电路有限公司及香港尚阳通有限公司...
SPDTSPDT在全球快速增长的市场中得到了广泛的接受，尤其是在LLC，相移全桥等高压DC-DC电源转换拓扑以及六开关SPDT解决方案替代等AC-DC应用中维也纳整流器和图腾柱PFC。
DACODACO成立于1994年，是台湾晶圆制造和器件装配的先驱和创新制造商，专注于设计，制造高性能半导体产品，涵盖硅二极管，肖特基，Mosfet，晶闸管，IGBT和碳化硅的分立器件和模块（SiC）二极管和Mosfet。
PFC-Device集团旗下研发团队设于台湾，并主要以改善产品性能、开发新产品及技术为重心。集团的离散式功率半导体使用由集团内部研发团队开发的自有专利元件结构及制造方法。于最后实际可行日期，集团持有在美国、台湾及中国就其离散式功率半导体的元件结构及╱或制造方法注册的46项专利。
大连圣博达科技有限公司于2018年联合大连芯冠科技有限公司，大连理工大学，中科院长春光机所等12家单位发起成立了东北第三代半导体产业技术创新联盟,并成为常任理事单位。并取得15项专利及2项软著。
查看详情UnitedSiC总裁兼首席执行官Chris Dries介绍说：“从我们与ADI 电源团队的第一次会面开始，他们马上意识到了我们SiC技术的价值以及SiC器件在其电源平台中扩展和使用的便利性。这是一个非常好的时机，可以让像ADI这样的高品质领导厂商成为我们公司的股东。”
查看详情2018年6月26日至28日 上海世博展会，开展电子电工、智能运动、可再生能源，为主题的上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。大连圣博达科技有限公司 展位为：2号馆 F31
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