2017年5月成立，从事新一代功率半导体研发、生产和销售。目前已拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中压SGT MOS等多个系列产品；性能优异，可靠稳定性高，广泛应用于...
2014年成立，公司主营功率半导体分立器件的设计和销售，研发中心在硅谷和上海，销售中心分布在华东华南和台湾地区。公司的管理、设计和销售团队均来自欧美龙头企业从业10年以上的资深专业人士 ，拥有世界上最先进的中压SGT，高压Super Junction和Thin wafer Filed Stop IGBT技术...
SemiQ Inc.是一家总部位于美国的碳化硅（SiC）功率半导体器件和材料的开发商和制造商，包括: SiC功率MPS二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块、SiC功率MOSFET SiC自定义模块、碳化硅裸模、SiC定制N型外延片 SemiQ是一家私营公司，部分由员工所有。SemiQ（以前称为全球电力技术集...
十速科技於1997年設立，為設計、製造 及銷售各種CMOS ICs的專業IC設計供應 廠商。 主要產品有4/8位元精簡指令型微 控制器(RISC MCU)、整合型非揮發性記 憶體 核心產品 主要產品為4位、8位、32位MCU以及整體解 決方案。公司產品以“低壓、低功耗、高性能” 著稱，為工業、消費類、物聯網...
深圳市瑞雷工业电气有限公司是集设计、开发、生产、销售于继电器专业厂家，优越的检测仪器和生产工艺，荣获了CQC的欧洲标准的CE认证证书，并有完善的ISO9001-2000质量体系保证。 一如既往！依托专业的科研技术力量，服务于工控自动化行业，LM、LL系列小型电磁继电器堪称同类产品...
群芯微电子有限责任公司拥有极具激情的技术团队和管理团队，践行诚信、务实、创新、专业的企业理念为客户提供卓越的产品与服务。 拥有中国芯是我们每一个群芯人的梦想，公司前期总投资12亿，专注于光电传感、模拟集成电路、数字集成电路及功率器件的研发、制造投入。 ...
美微科半导体公司Micro Commercial Components(MCC)是专业致力于半导体分立器件(二极管、三极管)的生产和销售的公司.2000年7月经由商业并构整合後,總部設立於北美洛杉矶,同時在台灣和深圳,蘇州設有銷售公司和辦事處.目前是亚太地区大型的二极管、三极管生产厂家之一,产品百...
芯洲科技（北京）有限公司成立于2016年，总部设立在北京。公司创始团队来自于全球领先的半导体公司，在集成电路设计研发、市场拓展和企业管理方面具有丰富的经验。芯洲科技提供持续创新的高品质、大功率密度、高效率、小型化、更安全的专业电源芯片，满足客户对尺寸、效率、散热、性价比...
派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半导体功率器件设计销售企业（Fabless模式），持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发与产品销售。 派恩杰产品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网...
美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）成立于1999年，主要为高效率转换应用部署SiC晶体管和二极管解决方案，公司现任总裁兼首席执行官Chris Dries和董事会于2009年收购了这家公司，联合碳化硅(UnitedSiC)开发了创新的碳化硅(SiC) FET和二极管功率半导体，在电动汽车(EV)充电...
公司总部坐落于深圳南山高新技术开发区，成立于2014年。2015年在上海浦东张江科技园区设立研发及运营中心，并于2018年成立南通尚阳通集成电路有限公司及香港尚阳通有限公司...
SPDT在全球快速增长的市场中得到了广泛的接受，尤其是在LLC，相移全桥等高压DC-DC电源转换拓扑以及六开关SPDT解决方案替代等AC-DC应用中维也纳整流器和图腾柱PFC。
新纳于2107年从美新半导体公司分拆出来。而美新公司由新纳首席执行官赵阳博士于1999年创立，一直致力于设计和生产先进MEMS传感器，也曾是全球第一家在美国上市的主营MEMS传感器的公司，新纳的投资方是管理过超过200亿美元的IDG资本。 新纳的产品建立在美新20年技术和...
DACO成立于1994年，是台湾晶圆制造和器件装配的先驱和创新制造商，专注于设计，制造高性能半导体产品，涵盖硅二极管，肖特基，Mosfet，晶闸管，IGBT和碳化硅的分立器件和模块（SiC）二极管和Mosfet。
集团旗下研发团队设于台湾，并主要以改善产品性能、开发新产品及技术为重心。集团的离散式功率半导体使用由集团内部研发团队开发的自有专利元件结构及制造方法。于最后实际可行日期，集团持有在美国、台湾及中国就其离散式功率半导体的元件结构及╱或制造方法注册的46项专利。
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