美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)成立于1999年,主要为高效率转换应用部署SiC晶体管和二极管解决方案,公司现任总裁兼首席执行官Chris Dries和董事会于2009年收购了这家公司,联合碳化硅(UnitedSiC)开发了创新的碳化硅(SiC) FET和二极管功率半导体,在电动汽车(EV)充电器、DC-DC转换器和牵引变流器以及电信、服务器电源、变速电机驱动器和太阳能逆变器等领域广泛应用。
UnitedSiC采用独特的堆叠式共源共栅技术,该技术将SiC JFET与硅MOSFET通过使用烧结银芯片贴装技术集成在同一封装中,从SiC JFET获得快速开关,高阻断能力和低内阻;从硅MOSFET获得易用性和卓越的体二极管性能。
UnitedSiC的愿景是运用自身的创新器件技术加速SiC的普及,帮助客户在最先进的应用项目中实现业界革命性的能效水平。
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